GT50JR22

330 руб.
GT50JR22 - дискретное устройство с кремневым N-канальным IGBT-транзистором. Для применения в инверторах переменного тока.
Характеристики IGBT-транзистора:
Напряжение кэ: 600 V
Максимальный ток кэ при 25гр. С: 50 A
Максимальный ток кэ при 100гр. С: 44 A
Мощность максимальная: 230 W
Управляющее напряжение: 1.55 V
Структура: N-канал с диодом
Корпус: TO-3P
Маркировка: 50JR22
Производитель: Toshiba

GT50JR22 Отзывы:

Отзывы: 0, Оценка: 0.00

Ваш отзыв может быть первым.

Также рекомендуем следующие товары:

ChipFind -