RJP63K2DPE

Нет в наличии
Характеристики IGBT-транзистора:
Напряжение кэ: 630 V
Максимальный ток кэ при 25гр. С: 35 A
Структура: N-канал
Корпус: TO-263
Маркировка: RJP63K2
Производитель: Renesas

RJP63K2DPE Отзывы:

Отзывы: 0, Оценка: 0.00

Ваш отзыв может быть первым.

Также рекомендуем следующие товары:

Обратите внимание на следующие товары:

ChipFind -