IKW50N60H3

480 руб.
Высокоскоростной IGBT транзистор IKW50N60H6 (K50H603).
Характеристики IGBT-транзистора:
Напряжение кэ: 600 V
Максимальный ток кэ при 25гр. С: 100 A
Максимальный ток кэ при 100гр. С: 50 A
Мощность максимальная: 333 W
Управляющее напряжение: 1.85 V
Структура: N-канал с диодом
Корпус: TO-247
Маркировка: K50H603
Особенности: Для применения в высокочастотных преобразователях
Производитель: Infineon

IKW50N60H3 Отзывы:

Отзывы: 0, Оценка: 0.00

Ваш отзыв может быть первым.

Также рекомендуем следующие товары:

Обратите внимание на следующие товары:

ChipFind -