AP4501GM

70 руб.
Комплементарная пара MOSFET транзисторов n и p каналов в корпусе SO8.

 MOSFET транзисторы AP4501GM производятся компанией Advanced Power Electronics Corp. для применения в широком спектре радиоэлектронных устройств.
Характеристики полевого транзистора:
Структура: N-канал / P-канал
Максимальное напряжение: 30 V
Максимальный ток: 7 / 5.3 A
Максимальная мощность: 2 W
Сопротивление канала в открытом состоянии: 28 / 50 mOhm
Корпус: SO8
Особенности: Ближайшие аналоги IRF7319, IRF7389, FDS8958A, P2803NVG

AP4501GM Отзывы:

Отзывы: 0, Оценка: 0.00

Ваш отзыв может быть первым.

Также рекомендуем следующие товары:

Обратите внимание на следующие товары:

ChipFind -