IHW30N160R2

Нет в наличии
Характеристики IGBT-транзистора:
Напряжение кэ: 1600 V
Максимальный ток кэ при 25гр. С: 60 A
Максимальный ток кэ при 100гр. С: 30 A
Мощность максимальная: 312 W
Управляющее напряжение: 1.8 V
Структура: N-канал с диодом
Корпус: TO-247
Маркировка: H30R1602

IHW30N160R2 Отзывы:

Отзывы: 0, Оценка: 0.00

Ваш отзыв может быть первым.

Также рекомендуем следующие товары:

Обратите внимание на следующие товары:

ChipFind -