SGH80N60UFD

520 руб.
SGH80N60UFD - сверхбыстрый IGBT-транзистор.
Характеристики IGBT-транзистора:
Напряжение кэ: 600 V
Максимальный ток кэ при 25гр. С: 80 A
Максимальный ток кэ при 100гр. С: 40 A
Мощность максимальная: 195 W
Управляющее напряжение: 2.1 V
Структура: N-канал с диодом
Корпус: TO-3PN
Маркировка: G80N60UFD
Особенности: Область применения: AC/DC управление двигателем, преобразователи общего назначения, робототехника, сварочное оборудование.

SGH80N60UFD Отзывы:

Отзывы: 0, Оценка: 0.00

Ваш отзыв может быть первым.

Файл

SGH80N60UFD datasheet (695.67 KB)

Загрузки Загрузки

Также рекомендуем следующие товары:

Обратите внимание на следующие товары:

ChipFind -