IGW75N60T

450 руб.
Характеристики IGBT-транзистора:
Напряжение кэ: 600 V
Максимальный ток кэ при 25гр. С: 150 A
Максимальный ток кэ при 100гр. С: 75 A
Мощность максимальная: 428 W
Управляющее напряжение: 1.5 V
Структура: N-канал
Корпус: TO-247
Маркировка: G75T60
Особенности: Fieldstop технология

IGW75N60T Отзывы:

Отзывы: 0, Оценка: 0.00

Ваш отзыв может быть первым.

Файл

IGW75N60T datasheet (371.21 KB)

Загрузки Загрузки

Также рекомендуем следующие товары:

Обратите внимание на следующие товары:

ChipFind -