RJP30H1DPD

100 руб.
Характеристики IGBT-транзистора
Напряжение кэ: 360 V
Максимальный ток кэ при 100гр. С: 30 A
Мощность максимальная: 40 W
Управляющее напряжение: 1.5 V
Структура: N-канал
Корпус: TO-252
Особенности: Высокоскоростной IGBT транзистор

RJP30H1DPD Отзывы:

Ваш отзыв может быть первым.


Также рекомендуем следующие товары:

Обратите внимание на следующие товары: