Силовые MOSFET-транзисторы Toshiba Electronics

 Благодаря новейшим разработкам компании Toshiba Electronics, новое поколение MOSFET транзисторов обладает лучшими характеристиками в своем классе. Силовые MOSFET-транзисторы Toshiba

 Малое сопротивление канала, уменьшенный заряд затвора, а также усовершенствованная внутренняя структура корпусов позволяет добиться малых потерь на транзисторе и разработать надежное устройство с высоким КПД.

 Данные электронные компоненты могут использоваться во всех устройствах, где требуется надежность, высокая эффективность, а также качество готового изделия.

 Компания Toshiba Electronics предлагает на выбор широкий спектр MOSFET-транзисторов в корпусах от самых малых размеров 1x0.6mm SOT883 для поверхностного монтажа до TO-3P для сквозного монтажа, способных рассеивать до 400 Вт энергии.

 Направление силовых транзисторов является фокусным в компании, и постоянное развитие технологий позволяет разрабатывать новые компоненты с улучшенными характеристиками. В качестве характерного примера стоит отметить высокоэффективные низковольтные MOSFET-транзисторы в корпусе DPAK+ и высоковольтные Super Junction MOSFET, сделанные по технологии DTMOS.

 Преимущества MOSFET-транзисторов в корпусе DPAK+

Параметр

Корпус DPAK

Корпус DPAK+

Различие

Сопротивление корпуса

3 мОм

0,7 мОм

снижение на 77%

Допустимый ток

20 А

80 А

рост 400%

Тепловое сопротивление

3,125 °C/Вт

1,5 °C/Вт

снижение на 52%

Максимальная температура

150 °C

175 °C

увеличение на 25 °C

Преимущества MOSFET-транзисторов в корпусе DPAK+
Разновидности
MOSFET-транзисторов компании Toshiba:

  1. Низковольтные n-канальные MOSFET-транзисторы с рабочим напряжением от 30 до 250В.

Изготавливаются в корпусах: DPAK, DPAK+, SOP Advance, TO-220, TO-220SIS, TO-220SM(W), TSON Advance.

  1. Низковольтные p-канальные MOSFET-транзисторы с рабочим напряжением от 20 до 100В.

Производятся в корпусах: DPAK, DPAK+, SOP Advance, TO-220SIS, TO-220SM(W), TSON Advance.

  1. MOSFET-транзисторы n-канальные с напряжением от 600 до 650В (технология DTMOS Super Junction).

Производятся в корпусах: D2PAK, DFN 8x8, DPAK, I2PAK, IPAK, TO-220, TO-220SIS, TO-247, TO-3P(N).

  1. MOSFET-транзисторы n-канальные с напряжением от 800 до 900В.

Выпускаются в корпусах: TO-220SIS, TO-3P(N).

MOSFET-транзисторы n-канальные с напряжением от 800 до 900В.
Наименование Корпус Vdss, В Id, А Pd, Вт Qg, нКл Rds(on), Ом
TK10A80E TO-220SIS 800 10 50 46 1,0
TK10J80E TO-3P(N)  800 10 250 46 1,0
TK6A80E TO-220SIS 800 6 45 32 1,7
TK7A90E TO-220SIS 900 7 45 32 2,0
TK7J90E TO-3P(N)  900 7 200 32 2,0
TK9A90E TO-220SIS 900 9 50 46 1,3
TK9J90E TO-3P(N)  900 9 250 46 1,3


MOSFET-транзисторы n-канальные с напряжением от 600 до 650В (DTMOS SUPER JUNCTION).
Наименование Корпус Быстрый диод Vdss, В Id, А Pd, Вт Qg, нКл Rds(on), Ом
TK10A60W TO-220SIS Нет 600 9,7 30 20 0,38
TK10A60W5 TO-220SIS Да 600 9,7 30 25 0,45
TK10E60W TO-220 Нет 600 9,7 100 20 0,38
TK12A60W TO-220SIS Нет 600 11,5 35 25 0,3
TK12E60W TO-220 Нет 600 11,5 110 25 0,3
TK14A65W TO-220SIS Нет 650 13,7 40 35 0,25
TK14A65W5 TO-220SIS Да 650 13,7 40 40 0,3
TK14E65W TO-220 Нет 650 13,7 130 35 0,25
TK14E65W5 TO-220 Да 650 13,7 130 40 0,3
TK14N65W TO-247 Нет 650 13,7 130 35 0,25
TK14N65W5 TO-247 Да 650 13,7 130 40 0,3
TK16A60W TO-220SIS Нет 600 15,8 40 38 0,19
TK16A60W5 TO-220SIS Да 600 15,8 40 43 0,23
TK16E60W TO-220 Нет 600 15,8 130 38 0,19
TK16E60W5 TO-220 Да 600 15,8 130 43 0,23
TK16N60W TO-247 Нет 600 15,8 130 38 0,19
TK16N60W5 TO-247 Да 600 15,8 130 43 0,23
TK17A65W TO-220SIS Нет 650 17,3 45 45 0,2
TK17A65W5 TO-220SIS Да 650 17,3 45 50 0,23
TK17E65W TO-220 Нет 650 17,3 165 45 0,2
TK17N65W  TO-247 Нет 650 17,3 165 45 0,2
TK20A60W  TO-220SIS Нет 600 20 40 48 0,155
TK20N60W TO-247 Нет 600 20 165 48 0,155
TK28N65W TO-247 Нет 650 27,6 230 75 0,11
TK28N65W5 TO-247 Да 650 27,6 230 90 0,13
TK31A60W TO-220SIS Нет 600 30,8 45 86 0,088
TK31E60W TO-220 Нет 600 30,8 230 86 0,088
TK31N60W TO-247 Нет 600 30,8 230 86 0,088
TK31N60W5 TO-247 Да 600 30,8 230 105 0,099
TK31N60X TO-247 Нет 600 30,8 230 65 0,088
TK35A65W TO-220SIS Нет 650 35 50 100 0,08
TK35A65W5 TO-220SIS Да 650 35 50 115 0,095
TK35N65W TO-247 Нет 650 35 270 100 0,08
TK35N65W5 TO-247 Да 650 35 270 115 0,095
TK39A60W TO-220SIS Нет 600 38,8 50 110 0,065
TK39N60W TO-247 Нет 600 38,8 270 110 0,065
TK39N60W5 TO-247 Да 600 38,8 270 135 0,074
TK39N60X TO-247 Нет 600 38,8 270 85 0,065
TK49N65W TO-247 Нет 650 49,2 400 160 0,055
TK5A60W TO-220SIS Нет 600 5,4 30 10,5 0,9
TK62N60W TO-247 Нет 600 61,8 400 180 0,04
TK62N60X TO-247 Нет 600 61,8 400 135 0,04
TK6A60W TO-220SIS Нет 600 6,2 30 12 0,75
TK7A60W TO-220SIS Нет 600 7 30 15 0,6
TK7A60W5 TO-220SIS Да 600 7 30 16 0,65
TK8A60W TO-220SIS Нет 600 8 30 18,5 0,5
TK8A60W5 TO-220SIS Да 600 8 30 22 0,54
TK49N65W5 TO-247 Да 650 49,2 400 185 0,057
TK100L60W TO-3P(L)  Нет 600 100 800 360 0,018
TK20J60W TO-3P(N)  Нет 600 20 165 48 0,155
TK16J60W5 TO-3P(N)  Да 600 15,8 130 43 0,23
TK20J60W5 TO-3P(N)  Да 600 20 165 55 0,175
TK62J60W5 TO-3P(N)  Да 600 61,8 400 205 0,045
TK16J60W TO-3P(N)  Нет 600 15,8 130 38 0,19
TK12J60W TO-3P(N)  Нет 600 11,5 110 25 0,3
TK39J60W TO-3P(N)  Нет 600 38,8 270 110 0,065
TK39J60W5 TO-3P(N)  Да 600 38,8 270 135 0,074
TK31J60W TO-3P(N)  Нет 600 30,8 230 86 0,088
TK31J60W5 TO-3P(N)  Да 600 30,8 230 105 0,099
TK62J60W TO-3P(N)  Нет 600 61,8 400 180 0,04
 

Просмотров: 2795

Отзывы о статье: 0 (читать все отзывы о статье, добавить отзыв о статье)

Добавить отзыв

Дата: 21.05.2016

Обратите внимание на следующие товары:

TK10A50D
Купить Купить
TK10A50D
100 руб.
+доставка
TK10A60D
TK10A60D
Нет в наличии
+доставка
TK10A60W
TK10A60W
Нет в наличии
+доставка
TK12A50D
TK12A50D
Нет в наличии
+доставка
TK13A60D
Купить Купить
TK13A60D
160 руб.
+доставка
TK15A50D
TK15A50D
Нет в наличии
+доставка